半導(dǎo)體的檢測與分析是一個介于基礎(chǔ)研究與應(yīng)用研究之間的設(shè)計內(nèi)容很廣而又不斷蓬勃發(fā)展的領(lǐng)域，在半導(dǎo)體材料的研究中，電阻率，載流子密度和遷移率是測試的關(guān)鍵參數(shù)。目前對半導(dǎo)體材料進行物理和化學(xué)研究的方法有很多，如透射電鏡、拉曼光譜、電化學(xué)C-V、X射線雙晶衍射等。