對于傳統(tǒng)半導體器件，主要通過執(zhí)行IV、CV表征，實現(xiàn)快速、精準的全方位測量和分析功能。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等寬禁帶半導體被廣泛應用于射頻，超高壓等領(lǐng)域，為適應特高壓輸電，電動汽車充電樁等超高壓應用，寬禁帶材料一直是研究方向的熱點。